1. REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULARA PARA LA EDUCACIÓNE.T.R “CARLOS JOSÉ MUJICA”YARITAGUA- YARACUY Transistor BJT CURSO: Electrónica básica Prof. Leonardo Araujo
2. El transistores de unión bipolar Los inventores del primer transistor en los Bell Laboratories fue el Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeeny Doctor Walter H. (1947)
4. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector solo muy poco dopado.
5. El transistores de unión bipolar Las capas exteriores tienen espesores mayores que el material tipo “p” o “n” al que circundan. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10:1 ó menos) Este nivel bajo de Dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el numero de portadores “libre”.
7. Polarización En ambos casos la unión base-emisor(BE) esta polarizada en directa y la unión base-colector(BC) polarizada en inversa. (Polarización directa-inversa)
8. Parámetros de un BJT. Beta de CD (βCD). La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cddel colector (IC) entre la corriente de cd de la base(IB) y se expresa como beta de cd(CD) βCD=IC/I Valores Típicos de CD van desde 20 hasta 200 o más hFE= βCD
9. Parámetros de un BJT. alfa de CD (αCD). El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cdα CD. αCD= IC/IE Valores Típicos van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque por lo general es menor a 1.
